随着分子电子学理论的日趋成熟和微电子科学技术的高速发展,微型化电子器件的创作和制备已然成为当今科技时代的研究热点。比较常见和基本的单分子器件有单电子晶体管、分子开关和分子整流器等等。而分子器件中库仑阻塞效应的作用尤为重要,本文就库仑阻塞效应在量子器件电子输运特性中的影响作了一定的辅助研究。全文共分为五章,分别如下：第一章：简单介绍了分子器件和库仑阻塞效应的研究背景以及国内外的一些相关研究进展,还介绍了文章主要研究内容、研究方法和研究意义；第二章：系统的描述了文章中用到的基本知识和理论,如单分子器件的原理和构造,库仑阻塞效应、单电子隧穿和近藤效应的的原理和相关内容；第三章：介绍了人们在研究电子输运性质时常用的几种方法：自洽场方法、主方程方法和基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法。其中自洽场方法并不能处理库仑阻塞效应,主方程方法能够处理库仑阻塞却局限在弱耦合的条件之下,基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法计算出来的结果仍然存在争议。本章节还详细介绍了采用的模型和基于运动方程的格林函数方法；第四章：在给定系统模型参数情况下,分别研究了库仑势、温度和耦合强度对库仑阻塞效应的影响。我们发现当量子体系处于弱耦合区域时,库仑阻塞效应会随着温度的升高而逐渐减弱直至消失。当体系处于低温状态时,随着耦合强度的增加,库仑阻塞效应也会随之而变弱直至消失,这与之前的研究者们得出的结论表现一致；第五章：在第四章的基础上研究了库仑阻塞效应恰好消失的情况,并完成了从库仑阻塞区域到非库仑阻塞区域过渡的研究,还比较了用自洽场方法和本文采用的基于运动方程的格林函数方法计算出来的电流特性,发现当某些参数处于非库仑阻塞区域时,库仑阻塞效应是不存在的,基于运动方程的非平衡格林函数方法和自洽场方法都是可用的,当参数处于库仑阻塞区域时,只有基于运动方程的格林函数的函数方法才能较好的处理库仑阻塞问题。最后对本文的工作进行了总结,并对以后的工作提出了一些展望。