传统硅器件的性能表现已接近材料极限,难以进一步提高,限制了永磁同步电机驱动系统的性能提升。新型宽禁带半导体材料氮化镓（Ga N）具有更加优越的性能,将氮化镓功率器件应用于永磁同步电机驱动系统中能够有效提升系统的效率、功率密度以及动态响应性能,降低谐波含量,具有极大的研究意义与应用价值。本文以基于氮化镓的永磁同步电机驱动系统为研究对象,对Ga N器件的工作特性、死区设置以及驱动电路等问题展开研究,完成基于氮化镓的永磁同步电机驱动系统设计。本文分析了氮化镓功率器件的静、动态工作特性,研究了电路与寄生参数对eGaN HEMT开关过程的影响。考虑各种寄生电容、电感的作用,对基于氮化镓的永磁同步电机驱动系统中eGaN HEMT的开关过程分阶段进行精确建模。针对传统死区计算方法精度低、死区损耗大等问题,提出了一种适用于Ga N基永磁同步电机驱动系统的死区优化设置方法,通过仿真与实验验证了所提出理论的正确性。针对高开关频率下的共模电压问题,在基于氮化镓的永磁同步电机驱动系统中采用AZSPWM1-NSPWM混合调制方法,并针对调制方法固有的死区共模电压尖峰问题修正了调制计算过程,有效抑制了共模电压幅值。设计了控制系统电流环与转速环参数,通过仿真验证了调制方法与控制系统参数设计的有效性,并分析了开关频率及死区对系统输出与损耗的影响。为eGaN HEMT GS61008T设计了驱动电路,优化了驱动电路参数。完成了基于氮化镓的永磁同步电机驱动系统硬件、软件设计,搭建了实验平台。通过实验验证了本文所研究理论的正确性与有效性,以及Ga N器件应用于永磁同步电机驱动领域的可行性与优越性。