当今时代,微型化的电子产品越来越受到人们的青睐。在微型化电子产品工作中发挥重要作用的光波导具有的弯曲损耗性,严重限制了电子产品微型化的程度。由激子和光子强耦合形成的激子极化激元在单根有机TC纳米线中有着特殊的传输特性,能够提高电子产品微型化的程度,使得激子极化激元成为近几年的研究热点。本文主要研究的是TC纳米线中激子极化激元特性。首先,运用分子自组装的方法制备单根有机TC纳米线,对纳米线进行表征得到其结构参数。在自搭建的局域与非局域荧光光路中激发制备的单根纳米线,分别得到荧光光谱并建立理论模型,分析纳米线的有效折射率,从而在实验上证实了单根有机TC纳米线能产生激子极化激元。接着,理论证明单根有机TC纳米线能产生激子极化激元,数值模拟不同长度、宽度TC纳米线中非局域荧光光谱及内部电场分布,得到激子极化激元在纳米线中的传输特性。计算F因子和Q因子随波长的变化曲线,分析激子极化激元在纳米线中的传输损耗特性。数值模拟给出单根有机TC纳米线的反射光谱,理论证明激子极化激元能够在纳米线中实现稳定的长程传输。最后,利用金属表面等离子激元局域场增强效应,对TC纳米线中产生的激子极化激元增强效应进行研究。理论研究不同形状及不同修饰情况下金纳米颗粒局域场对激子极化激元的增强效应,为其今后在微型化电子产品中的应用进行初步的探索并提供一定的参考。