【摘 要】
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低维纳米材料作为器件和材料的基本构成单元对集成电路和功能性元件的构筑将起到十分重要的作用,其制备和加工是纳米技术领域的重要组成部分。静电纺丝技术因其高效、操作简
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低维纳米材料作为器件和材料的基本构成单元对集成电路和功能性元件的构筑将起到十分重要的作用,其制备和加工是纳米技术领域的重要组成部分。静电纺丝技术因其高效、操作简单等优点,近年来已成为制备无机氧化物低维纳米材料的重要方法之一。Al2O3:Cr3+本身具有的良好性能使其成为重要的激光工作物质,Al2O3:Cr3+纳米发光材料也受到人们的广泛关注。因此,采用静电纺丝技术制备Al2O3:Cr3+(?)低维纳米材料将是一个有意义、重要的研究课题。本论文中采用静电纺丝技术制备出了Al2O3:Cr3+和Cr2O3纳米纤维、纳米带,采用同轴静电纺丝技术制备了Al2O3:Cr3+空心纳米纤维。采用TG-DTA、FESEM、XRD、FTIR、EDS和PL等分析测试手段对样品进行了系统地表征,结果表明：Al2O3:Cr3+和Cr2O3纳米纤维的直径为78nm～100nm; Al2O3:Cr3+和Cr2O3纳米带的宽度为1-2μm,厚度为100-200nm。以罗丹明B做为降解目标产物,研究了Cr2O3纳米纤维、纳米带的光催化活性,讨论了影响光催化效果的因素,并获得一些有意义的新结果。
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