本论文在微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体辅助下,利用Si、C双靶磁控溅射和Si靶、CH4磁控溅射两种方法分别制备了无氢和含氢SiC薄膜。利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)及纳米硬度仪等表征方法研究了不同沉积方法及不同沉积参数下薄膜的化学结构,元素配比及硬度的变化。研究结构表明：利用Si、C双靶磁控溅射制备无氢SiC薄膜时,Si靶和C靶溅射功率,基片偏压及基片温度都对薄膜的结构有影响。Si靶溅射速率较高时,薄膜中只形成了较为稳定的Si-C键及少量的Si-O键；随着Si靶功率的下降,气相中Si原子数量变少,薄膜中游离态C增加,并形成了(SiO-C)团簇。基片偏压增加了带电粒子对基片的轰击,使薄膜应力增加。基片温度增加了基片上原子的运动位移,易于形成较稳定的Si-C键。利用Si靶、CH4磁控溅射时,CH4流量和沉积温度对膜中化学键结构,元素配比以及机械性能都有显著影响。室温(RT)下随CH4流量由5 sccm(Standard Cubic Centimeter Per Minute)增加到45 sccm时,薄膜中Si-CH2键、C-H键逐渐增加,Si-H键变化不明显；薄膜中C原子百分比由25%线性增加到76%,Si原子百分比由62%线性减少至19%。当CH4流量为15 sccm时,随基片温度由室温升高到600℃,薄膜中Si、C原子百分比含量分别为52%、43%,且基本保持不变,膜中Si-H键和C-H键转化为Si-C键,薄膜的显微硬度显著提高,在CH4流量为15 sccm,沉积温度为600℃时,所制备薄膜的硬度达到29.7 GP。根据分析结果,提出了室温和高温下a-Si1-xCx:H薄膜生长模型。