【摘 要】
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SOI(Silicon-On-Insulator)CMOS技术在RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuits)中应用和体硅CMOS技术相比有着低功耗,高速度,良好的隔离度和线性度以及能够形成高品质的无源
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SOI(Silicon-On-Insulator)CMOS技术在RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuits)中应用和体硅CMOS技术相比有着低功耗,高速度,良好的隔离度和线性度以及能够形成高品质的无源器件等优点,使其有可能成为RFIC的主流技术.该论文围绕RFSOI器件的特性和物理模型展开了较为系统和深入的研究.我们用标准的SOICMOS工艺制备了射频的有源和无源器件以及高频放大器.在此基础上,我们做如下几个方面的工作:首先我们建立一个能够适应射频模拟电路需要的SOI器件直流模型.提出了一个适用于SOIMOSFET的高频小信号等效电路模型,并讨论了模型参数对器件的电流增益和最大功率增益的影响.提出了一个基于物理的SOIMOSFET沟道漏电流噪声模型,这个模型解决了已有的沟道漏电流噪声模型中存在的一些问题.提出了一个FDSOIMOSFET的三阶非线性系数模型.在已有的集成电感研究结果基础,给出一个优化设计的集成电感,并对基于SOI材料的带有集成电感的高频放大器设计做了一个尝试.同时根据实验结果对有衬底损失效应的集成电感的电感值和衬底电阻提出了更为精确的经验公式.
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