【摘 要】
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随着超大规模集成电路技术的发展,芯片尺寸日益缩小,带动了光刻技术的进步。由于光刻技术的分辨率要求越来越高,193nm光阻(Photoresist:PR)成为248nm光阻的替代者。而由于两
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随着超大规模集成电路技术的发展,芯片尺寸日益缩小,带动了光刻技术的进步。由于光刻技术的分辨率要求越来越高,193nm光阻(Photoresist:PR)成为248nm光阻的替代者。而由于两种光阻材料的不同,193nm光阻在干法刻蚀过程中遇到了一些新的挑战。在某些特定的干法刻蚀工艺过程中,栅极成型、耐刻蚀性和线宽粗糙度(LWR:Linewidth Roughness)等方面,193nm光阻会有些许退化。通过一些研究发现,在干法刻蚀前通过对光阻的等离子体固化处理,可以最大化的减少干法刻蚀中的光阻退化现象。目前,HBr等离子体固化技术是已知的可以加强193nm光阻耐刻蚀性和减少光阻线宽粗糙度的一种有效的等离子体处理技术。本文主要研究了193nm光阻的等离子体固化工艺,发现等离子浓度与PR耐刻蚀性高度相关,而降低反应腔压力,增加上电极射频输出功率(TCP Power)来提高等离子体浓度,是改善光阻耐刻蚀性的有效方式。
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