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作为一种室温核辐射探测器用宽禁带半导体材料,溴化铊(TlBr)晶体具有优良的发展前景。其较高的平均原子序数(Tl:81,Br:35)和密度(7.56 g/cm3),使得制备出的探测器件对射线的截止能力(100 keV吸收深度为0.32 mm)和探测效率更高。同时,其禁带宽度较大(2.68 eV),适于制作室温探测器件。另外,TlBr的晶体结构简单(CsCl型),熔点较低(460℃),便于利用熔体法进行TlBr单晶生长。TlBr单晶的完整性及其晶片的表面质量是决定探测器性能的关键因素。由于TlBr晶片的机械处理过程会在其表面引入机械损伤,这些损伤严重影响后期制作的电极质量以及器件的性能,本文对TlBr晶片化学抛光工艺进行了较系统的研究,在此基础上,对两种不同电极材料(Au和Ti)的欧姆接触性能展开了研究,主要内容如下:首先,采用相同的机械处理工艺制备出一系列的TlBr晶片,再利用不同的化学抛光工艺对其处理。通过对比晶片的表面形貌、光学特性、电学特性以及能谱响应,得到其优化的化学抛光工艺,溴甲醇浓度为5%,腐蚀时间60 s。在此工艺处理下的晶片样品表面粗糙度可以降低至10.978 nm,平均红外透过率可达到64.1%。随后,对该晶片表面溅射金电极,测得其等效电阻率为9.93×1010Ω·cm,对241Am放射源的能量分辨率为29.93%。同时,TlBr晶片表面化学腐蚀前后的XPS测试结果初步探究了溴甲醇溶液的化学抛光机理。另外,本文利用真空蒸镀的方法制备了Au/TlBr/Au和Ti/TlBr/Ti平面探测器,研究了其欧姆接触性能。通过对比这两种不同结构TlBr探测器的I-V、I-t以及能谱响应,结果表明,Ti/TlBr/Ti探测器对241Am放射源能得到更优的能量分辨率,达到26.48%。而Au/TlBr/Au探测器稳定性更好。同时,电极与晶片界面处的XPS拟合结果分析了两种欧姆电极结构的TlBr探测器性能不同的原因。