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氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤锌矿结构的金属氧化物半导体材料。作为一种宽带隙，低介电常数，高化学稳定性的多功能材料，其应用领域十分广泛，常被用于制作声表面波器件、气敏传感器、压敏电阻及透明导电电极等。制备ZnO纳米结构材料的方法有很多，例如：化学气相沉积法(MOCVD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、磁控溅射法(MS)、脉冲激光沉积法(PLD)和超声雾化热解喷涂法(Ultrasonic Spray pyrolysis, USP)等。其中，USP技术在金属氧化物材料制备方面具有独特的优势，具体表现在：设备简单，成本低廉；沉积速率快，可大面积成膜；无需高真空，即使在常压下也可以进行纳米结构的制备；在工艺参数选择恰当的条件下，所制材料的质量和性能完全可以和CVD或PLD所制材料的质量和性能相媲美。本文选用0.2mol/L（近似）的Zn(CH3COO)2·2H2O作为前驱体溶液制备ZnO纳米结构。系统地研究了衬底温度（Ts）这一关键因素对USP技术所制ZnO纳米结构的形貌及其他各项性能的影响；运用自行设计的“时序快门法”对ZnO纳米结构膜的成膜过程进行了深入探究；试图往ZnO纳米结构膜中掺杂Cu元素(乙酸铜作为前驱体)，制备出具有室温铁磁性的稀磁半导体材料（Zn1-xCuxO），并通过PPMS，XRD，XPS和EPMA等测试手段来验证Cu掺杂。实验结果表明：1.当Ts从430°C升高至610°C，ZnO纳米结构呈现出从片状到颗粒膜状再到阵列状的转变特性；Ts为550°C时制备的ZnO纳米结构膜具有最低的电阻率和最高的载流子浓度；样品中存在有缺陷，这些缺陷的数量会随Ts的升高而减少；大部分样品的可见光透过率高于90%。2.观察到USP技术所制备ZnO纳米结构膜的生长机制属常见的“类岛状”。3. ZnO纳米结构在室温下呈抗磁性，而Cu元素的掺杂便能使其产生室温铁磁性。样品的饱和磁化强度（Ms）和矫顽力（Hc）均较弱。4.检测到Zn1-xCuxO样品中的Cu含量甚低，可能的原因涉及制备工艺、Cu元素在ZnO纳米结构膜中的溶解度以及检测设备的合理选择等因素。