【摘 要】
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在高温高压条件下(HPHT,4~5GPa,1430~1530℃),采用高压烧结技术,利用Y2O3、MgO作为烧结助剂,通过和不同质量配比的氮化硅(a-Si3N4,β-Si3N4)粉体复合,制备了具有高热导率和高
【机 构】
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牡丹江师范学院,北京中材人工晶体研究院有限公司,吉林师范大学
【基金项目】
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吉林省科技发展计划项目(20180201079GX),吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20191003KJ),黑龙江省教育厅项目(1352ZD002,1353ZD010).
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在高温高压条件下(HPHT,4~5GPa,1430~1530℃),采用高压烧结技术,利用Y2O3、MgO作为烧结助剂,通过和不同质量配比的氮化硅(a-Si3N4,β-Si3N4)粉体复合,制备了具有高热导率和高致密性的Si3N4陶瓷。本实验采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱EDS、热导率测定仪、维氏硬度计对样品进行了分析和表征,研究了压强、烧结温度、保温时间对热导率和致密性的影响。结果表明:超高压条件有效降低了烧结温度,缩短了烧结时间。当烧结条件在5GPa,1490℃,1h时,其硬度
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