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本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正。提出一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好。该模型可以应用于这类器件及电路的CAD。
一种耗尽型短沟道MOS器件阈电压模型
【摘 要】
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本文研究了耗尽型MOS器件的短沟道效应,把Yau的电荷分配理论推广到耗尽型器件,并作了适当修正。提出一种简单而精确的耗尽型短沟道MOS器件阈电压分析模型,与实验数据吻合良好
【机 构】
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南京工学院微电子研究中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1987年2期
【基金项目】
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中国科学院科学基金资助课题
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