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LT—AlxGa1—xAs的晶格膨胀特性

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：psh860525

【作 者】

：

郝建民 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1996年3期

【关键词】

：

低温 GAAS 晶格膨胀 

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