SiH_2Cl_2-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅

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我们研究了目前国际上普遍采用的SiH_2Cl_2NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜工艺.通过实验,获得了低压化学气相淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件,并对氮化硅的质量进行了检测,膜的质量好.该工艺适用于大规模集成电路生产。 We studied the low-pressure chemical vapor deposition of silicon nitride thin film commonly used in the world at present.Through experiments, obtained the better conditions of low-pressure chemical vapor deposition of silicon nitride film, and the quality of silicon nitride The test, the film of good quality. The process is suitable for large-scale integrated circuit production.
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