【摘 要】
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对某型高集成度收发组件内部装配的砷化镓多功能芯片环境试验后开裂的故障进行了分析,确定因腔体粘接面过薄以及材料之间存在最大2×10-5/℃热失配的因素,在温度循环过程腔体粘接面发生较大的形变,产生了热机械应力,导致芯片表面产生轴向的裂纹故障.在原有腔体结构基础上,提出了增加加强筋的改进方案,通过仿真分析与对应的试验验证,样件功能正常,芯片无开裂现象,证明了改进方案的可行性及有效性.
【机 构】
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成都西科微波通讯有限公司,四川 成都 610091
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对某型高集成度收发组件内部装配的砷化镓多功能芯片环境试验后开裂的故障进行了分析,确定因腔体粘接面过薄以及材料之间存在最大2×10-5/℃热失配的因素,在温度循环过程腔体粘接面发生较大的形变,产生了热机械应力,导致芯片表面产生轴向的裂纹故障.在原有腔体结构基础上,提出了增加加强筋的改进方案,通过仿真分析与对应的试验验证,样件功能正常,芯片无开裂现象,证明了改进方案的可行性及有效性.
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