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采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜可以制备性质优良的栅介质膜。
DLTS技术研究富氮SiOxNy薄介质膜的电学特性
【摘 要】
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采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年6期
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