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报道了用热蒸发A1作肖特基接触在SiC材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。采用射频溅射法在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。I－Ⅴ特性测量说明Al/SiC SBD有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理。反向击穿电压为22．5V，理想因子为1．19，肖特基势垒高度为1．48eV。