光量子芯片中级联移相器的快速标定方法

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集成光学技术在光量子信息处理等新兴技术有着重要的应用.相比于分立光学,集成光学技术具有体积小、成本低、稳定性好以及易操控的优势.然而,随着集成光量子芯片线路的复杂程度和规模的增加,对芯片上的移相器,比如级联马赫-曾德尔干涉仪中的相移器的标定,将会成为一个棘手的问题.传统的级联马赫-曾德尔干涉仪的移相器标定时间是随着级联个数的增加而指数增加的,目前所报道实现的最大级联个数仅为5个移相器.本文针对上述问题,提出了一种高效的标定方法.使用该方法对级联马赫-曾德尔干涉仪移相器的标定时间只随移相器数量线性增长,相比
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研究非牛顿流体转捩问题,可为调控非牛顿流体动力特性提供理论基础.相对于牛顿流体转捩问题,非牛顿流体转捩研究较少,缺乏转捩雷诺数精细预报方法.论文以格子Boltzmann方法为核心求解器,以典型非牛顿流体幂律模型为例,开展了幂律流体二维顶盖驱动流转捩模拟,给出剪切变稀和剪切增稠流体的第一转捩雷诺数,并分析了转捩雷诺数附近流场时频域特性及模态分布.结果表明,剪切变稀流体和剪切增稠流体的第一转捩雷诺数与牛顿流体差异显著,且在转捩临界雷诺数附近监控点处速度分量均呈现周期性变化趋势.通过对流场速度和涡量的本征正交分
非平庸的能带拓扑性与磁性结合可以产生丰富的量子现象,包括量子反常霍尔效应、轴子绝缘体态等.不同于磁性掺杂和异质结方案,内禀磁性拓扑绝缘体避免了掺杂带来的无序,且制备工艺通常比异质结更加简单,因此对研究和利用磁性拓扑绝缘体都有重要的意义.最近,EuIn2As2被认为是内禀反铁磁轴子绝缘体,本文使用低温扫描隧道显微镜研究了它的解理表面的原子排布和电子结构.结合原子分辨形貌图、晶格对称性分析以及局域态密度等信息,认为观测到的表面条纹结构来源于Eu截止面50%覆盖度的1
提出一种时域剪切干涉技术测量纳秒激光脉冲的时间相位分布,该方法将待测脉冲分为彼此之间有数百个皮秒延迟量的两个脉冲;并在对其中一个脉冲加入适量的频移后和另一个脉冲合束,得到时域干涉条纹;最后采用相适应的算法,从记录的时域条纹计算得到纳秒激光脉冲的时间相位分布,并进一步计算得到激光脉冲的精细光谱结构.在对测量原理进行系统分析的基础上,利用数值模拟和实验对该相位测量技术的可行性进行了验证,并系统分析了其测量误差和非理想条件下的各种干扰因素的影响.由于该测量技术不采用任何非线光学方法,可对任何波长的激光脉冲进行测
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基于摄动理论和广义伯努利方程,推导出单气泡在超声场中径向振动方程、平移方程和气泡形变方程.数值计算这3个方程,可以得到气泡半径、气泡中心的位移和气泡形变随时间的演化图.计算结果表明:当气泡初始半径和驱动声压不变时,气泡中心初始平移速度增大,气泡径向振动几乎不变,但气泡中心位移和形变量增大,气泡非球形振动愈加明显.当初始平移速度比较小时,气泡的R0-pa相图中,不稳定区域仅集中在高驱动声压区域.随着气泡中心初始平移速度不断增大,半径和驱动声压均较小的区域开始呈现不
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高能电子成像技术被首次提出作为温稠密物质和惯性约束聚变实验研究的高时空分辨诊断工具之一,现已通过前期实验证明其对中尺度科学诊断的可行性.为了进一步提高高能电子成像技术诊断样品的能力,来获取样品内部信息,将高能电子成像技术和三维重建算法结合,提出了高能电子三维成像技术.本文主要通过实验研究了高能电子三维成像技术的可行性.不同三维重建算法重建样品的结果首次证实了高能电子三维成像技术的可行性,使用的三维
系统性地探讨了通过淬火相互作用在初态包含暗孤子的玻色-爱因斯坦凝聚体中产生量子冲击波的可能性及其内禀机制.在淬火至无相互作用极限下,解析得到了初始静止孤子的后续动力学,发现了冲击波的存在,并通过量子相干效应加以解释.在淬火至有限相互作用下,通过数值求解Gross-Piatevskii方程也发现了冲击波现象,并且分析了不同情形:往弱相互作用侧淬火时得到的冲击波与无相互作用情形类似;往强相互作用侧淬火时得到的冲击波伴随着孤子的劈裂,且两者存在同步变化关系.进一步探究了冲击波的特性,包括其振幅、速度,并得到了其