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90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量.由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率电子达到更高的性能,进而扩展应用领域.
大功率半导体器件的工艺现状
【摘 要】
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90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量.由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率
【机 构】
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日
【出 处】
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变流技术与电力牵引
【发表日期】
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2002年2期
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