溶剂热条件下单质直接反应合成GaP纳米晶

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【摘要】

：

在苯热条件下,以金属镓和白磷为原料直接反应合成了GaP纳米晶,并研究了反应温度对GaP纳米晶物相的影响.微观形貌观测结果则表明,在400℃合成的GaP纳米晶体粒度均匀,而且团聚

【作者】

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信春雨刘振刚于美燕李凯盖利刚王琪珑

【机构】

：

山东大学研究生院,山东大学化学与化工学院,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学研究生院

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2004年7期

【关键词】

：

GaP纳米晶溶剂热合成微观形貌 GaP nanocrystalssolvothermal synthesismorphology

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在苯热条件下,以金属镓和白磷为原料直接反应合成了GaP纳米晶,并研究了反应温度对GaP纳米晶物相的影响.微观形貌观测结果则表明,在400℃合成的GaP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少.当温度为300℃时,GaP纳米晶的结晶质量较差,而当温度升高到500℃时,GaP纳米晶的结晶完整性得到改善,但是颗粒团聚现象变得比较严重.

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