压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)器件相对传统焊接式IGBT模块而言具有功率密度大、可靠性高、易于串联和失效短路等优点，现已逐步应用到高压直流输电等高压大功率应用场合。在压接型IGBT器件中，各组件通过外施压力堆叠在一起形成电学和热学接触，内部除温度场和电磁场外，还需考虑应力场的作用，各场通过耦合变量形成联系，构成了一个复杂、非线性的多物理场耦合问题，给建模与计算带来了巨大挑战。该文对近年来国内外压接型IGBT器件多物理场耦合问题的研究现状进行综述，建立多物理场问题的数学描述，并梳理考虑多子模组相互作用的耦合关系，提炼多物理场耦合问题中的难点，即耦合关系的建模及对比分析、多物理场耦合问题的准确描述与简化及多物理场耦合算法的改善等。文中针对这些难点，在总结现有研究成果的基础上，指出今后需要深入研究的重点问题，借鉴相关领域研究成果，给出可能的解决方案。