Advanced SPICE-Modeling of 4H-SiC MESFETs

来源 :Journal of Electronic Science and Technology of China | 被引量 : 0次 | 上传用户:zaizhen
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A modified drain source current suitable for simulation program with integrated circuit emphasis(SPICE) simulations of SiC MESFETs is presented in this paper. Accurate modeling of SiC MESFET is achieved by introducing three parameters in Triquint’s own model(TOM). The model,which is single piece and continuously differentiable,is verified by measured direct current(DC) I-V curves and scattering parameters(up to 20 GHz). A modified drain source current suitable for simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) simulations of SiC MESFETs is presented in this paper. Accurate modeling of SiC MESFETs is achieved by introducing three parameters in Triquint’s own model (TOM). The model, which is single piece and continuously differentiable, is verified by measured direct current (DC) IV curves and scattering parameters (up to 20 GHz).
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