【摘 要】
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报道了一种采用改进化学气相沉积(Modified Chemical Vapor Deposition,MCVD)技术制备的L-band扩展掺铒光纤.实验测试了该掺铒光纤的基本光学参数及其宽带放大性能,其数值孔
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074;武汉长进激光技术有限公司,湖北武汉430074
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报道了一种采用改进化学气相沉积(Modified Chemical Vapor Deposition,MCVD)技术制备的L-band扩展掺铒光纤.实验测试了该掺铒光纤的基本光学参数及其宽带放大性能,其数值孔径为0.2,在980 nm处的吸收系数为11.04 dB/m,在1535 nm处的吸收系数为38.8 dB/m,在1200 nm处的背景损耗为15 dB/km.采用两级放大结构测试该掺铒光纤的L-band放大性能,其中第一级铒纤长度为11 m,第二级铒纤长度为25 m.当输入信号范围为1570～1622 nm,输入信号的功率为-1 dBm时,在980 nm半导体激光器泵浦下20 dB增益带宽长波段可扩展到1622 nm,最大噪声指数为5.3 dB,饱和输出功率为24.5 dBm.
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