【摘 要】
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通过电阻率及霍尔系数的测量,定出了分别在氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅单晶经不同温度退火后的电学参数.发现在350—600℃退火温度范围内,二者的退火行为明显不同.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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通过电阻率及霍尔系数的测量,定出了分别在氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅单晶经不同温度退火后的电学参数.发现在350—600℃退火温度范围内,二者的退火行为明显不同.指出这是由于在氢气中区熔生长的NTD硅中形成了“氢-缺陷络合物”施主所致.测得其激活能为:450℃退火后是(26±1)meV;500℃退火后是双能级——(26±1)meV 和(37±1)meV.
Based on the measurement of resistivity and Hall coefficient, the electrical parameters of neutron-transmutation-doped silicon single crystals grown by zone melting in hydrogen and argon at different temperatures were determined, and the annealing temperature range of 350-600 ℃ , The annealing behavior of the two is obviously different.It is pointed out that this is due to the formation of “hydrogen-defect complex” donors in NTD silicon grown by zone melting in hydrogen.The activation energy is measured as follows: after annealing at 450 ℃, (26 ± 1) meV; after annealing at 500 ℃, the two levels were - (26 ± 1) meV and (37 ± 1) meV.
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