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以 LaNiO3做缓冲层，用射频磁控溅射法在 SiO2/ Si（100）衬底上制备出0.9Pb（Sc0.5 Ta0.5）O3﹣0.1Pb-TiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制，研究表明，薄膜漏电流在低场强下（﹤32kV/ cm）符合欧姆（热电子发射）导电机制并受到晶界限制行为的影响，在中场强下（32~85kV/cm）空间电荷限制电流（SCLC）机制占据优势，在高场强下（85~100kV/ cm）富勒﹣诺丁海姆（FN）隧穿机制起主导作用.