【摘 要】
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主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5 mW时,GaN纳米柱的积分 PL强度
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院，江苏省光电功能材料重点实验室，南京，210093南京大学电子科学与工程学院，江苏省光电功能材料重点实验室，南京，210093; 南京大学扬州光电研究院，扬州，225009;
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主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5 mW时,GaN纳米柱的积分 PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分 PL 强度比的方法计算得到激发光功率0.5 mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到 GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明 GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.
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