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通过讨论氮、硼、硅、氟等非金属原子掺杂的碳纳米管，对场电子发射特性的影响。介绍了掺杂在场电子发射、能源电池、气体传感器等领域的研究和应用。掺杂可以增加碳纳米管的缺陷，改变其电子结构。掺杂可使碳纳米管转变为n型半导体或是金属性导体，将提高场发射性能。同时，掺杂亦可使碳纳米管向P型半导体转变，这将不利于场发射性能改善。当场发射性能随着掺杂浓度升高而提高时，存在最佳掺杂浓度值，一旦超出，则场发射性能逐渐下降。因此，研究碳纳米管非金属掺杂具有重要的应用价值。