阶跃光激励下半导体的温度变化

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【摘要】

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建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影

【作者】

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叶茂群陈赵江方健文刘世清

【机构】

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浙江师范大学数理与信息工程学院

【出处】

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浙江师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2011年3期

【关键词】

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光热效应阶跃光激励半导体材料少数载流子寿命 photothermal effect step optical excitation semicondu

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（11074222）

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建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.

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