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用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4：Eu^3＋。TG—DTA谱图表明：800℃时．样品吸收的能量最大．即形成稳定的CaMoO4：Eu^3＋构。用XRD谱图进一步分析表明：800℃时，样品CaMoO4：Eu^3＋已形成CaMoO4的白钨矿结构。由于2个Eu^3＋取代3个Ca^2＋，导致了晶体产生微小的晶体缺陷，从而形成具有p—n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现：这种缺陷结构不但可以使Eu^3＋禁戒的4f电子发生跃迁，而且可以使MoO4^2-的能量高效地传递给Eu^3＋，尤其使与MoO4^2