ZnO/GaN核/壳异质结纳米线能带结构和电荷分离的理论研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxxmcu1

【摘要】

：

采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶（VBM）和导带底（CBM）的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应

【作者】

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陈星源罗文杰赖国霞古迪朱伟玲徐祥福

【机构】

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广东石油化工学院应用物理系

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2018年2期

【关键词】

：

第一性原理 GaN/ZnO核/壳结构纳米线能带结构电荷分离 first principle GaN-ZnO core/shell nanowires str

【基金项目】

：

国家自然科学基金（11547201,61475195）,广东省自然科学基金（2015A030313873）,广东省教育厅基金（2015KQNCX098,2015KQNCX100,2016KTSCX087）

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采用密度泛函第一性原理的方法计算了GaN纳米线、ZnO纳米线及其核/壳纳米线结构的能带结构,价带顶（VBM）和导带底（CBM）的电荷分布。计算表明本征GaN和ZnO纳米线材料VBM和CBM所对应电荷分布较为分散,且与直径关系不大,形成不了Ⅱ型半导体电荷分离效应。GaN和ZnO组成的核/壳纳米线均保持本征GaN和ZnO纳米线的直接带隙性质。在ZnO包裹GaN的核壳纳米线结构中,不同比例的ZnO和GaN之间电荷转移均不明显,VBM和CBM电荷分布基本都是由壳层的ZnO的O原子占据,难于实现VBM和CBM电荷空

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