【摘 要】
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本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反
【机 构】
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东南大学电子工程系,东南大学电子工程系,东南大学电子工程系 南京 210018,南京 210018,南京 210018
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本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。
This paper reports a new model of SnO_2 gas sensor sensitivity mechanism. The SnO2 grain surface potential barrier is controlled by three processes: (1) oxygen adsorption (as electron acceptor) and desorption, (2) reductive gas adsorption (as electron donor) and desorption, (3) surface redox reaction . This can be a good explanation for the oxygen partial pressure found in the experiment on the gas sensor response.
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