【摘 要】
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本文介绍了采用液相外延等温浸渍技术,在钆镓柘榴石G_(d3)G_(a5)O_(12)(GGG)基片上,从Pb—B_2O_3助熔剂中,对基片作“间歇式”周期正反旋转和沿旋转轴周期上下运动,外延生长
【机 构】
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本文介绍了采用液相外延等温浸渍技术,在钆镓柘榴石G_(d3)G_(a5)O_(12)(GGG)基片上,从Pb—B_2O_3助熔剂中,对基片作“间歇式”周期正反旋转和沿旋转轴周期上下运动,外延生长出厚度均匀、膜面光滑、磁性能一致的优质Y_3Fe_5O_(12)(YIG)单晶膜,在约70％膜面上,厚度变化小于2％。详细描述了液相外延炉、基片升降旋转装置和基片支架的结构特点,以及不同旋转方式对膜厚均匀性的影响。
In this paper, the liquid-phase epitaxial isothermal impregnation technique was used to make “batch” Pb-B 2 O 3 fluxes on the GdGdG_ (a5) O_ (12) The Y_3Fe_5O_ (12) (YIG) single crystal film with uniform thickness, smooth film surface and consistent magnetic properties is epitaxially grown up and down along the cycle of positive and negative rotation, and the thickness variation is less than 2 %. The structure characteristics of the liquid phase epitaxy furnace, the substrate lifting and rotating device and the substrate holder are described in detail, and the influences of different rotation modes on the film thickness uniformity are described.
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