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通过对 a-Si TFT 的基本工作特性的分析,提出了一种直观的 a-SiTFT 器件模型。基于此模型,采用一种新的方法对 a-Si TFT 的 C-V 特性进行了全面分析。模拟结果与实际测得 a-Si TFT 的 C-V 特性曲线变化趋势一致。
α-Si TFT的C-V特性研究
【摘 要】
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通过对 a-Si TFT 的基本工作特性的分析,提出了一种直观的 a-SiTFT 器件模型。基于此模型,采用一种新的方法对 a-Si TFT 的 C-V 特性进行了全面分析。模拟结果与实际测得 a-S
【机 构】
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南京电子器件研究所210016
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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1994年2期
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