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换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较实际的可控硅宏模型，对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真，分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及换流时换流人电压振荡特性；给出缓冲电路参数优化的趋势。
换流阀内可控硅端电压特性分析和缓冲电路参数优化
【摘 要】
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换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较实际的可控硅宏模型，对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真，分析
【机 构】
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西安交通大学电气工程学院,西安高压电器研究所
【出 处】
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中国电力
【发表日期】
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2003年1期
【基金项目】
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国家“十五”重大科技攻关项目(980502B)
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