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本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能级，与样品（１１１）ＣｄＴｅ的Ａ、Ｂ面和表面光洁度关系不大。
用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级
【摘 要】
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本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能
【机 构】
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南开大学物理系
【出 处】
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红外与激光技术
【发表日期】
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1995年5期
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