HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zyz118

【摘要】

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利用动态掩膜腐蚀技术，研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x=0.3,0.5,0.65）的腐蚀速率及腐蚀表面形貌，随着HF（48wt%）/CrO3(33wt%）的体积比由0.01变化到0.138，相应的腐

【作者】

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黄辉高俊华等

【机构】

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北京邮电大学,中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2002年2期

【关键词】

：

制备楔形结构铝镓砷化物合选择性湿法刻蚀 HF-CrO3溶液 dynamic etch mask selective etching wet chemica

【基金项目】

：

国家杰出青年基金(批准号 :6962 5 10 1),,国家自然基金(批准号 :699760 0 7)资助项目~~

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利用动态掩膜腐蚀技术，研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x=0.3,0.5,0.65）的腐蚀速率及腐蚀表面形貌，随着HF（48wt%）/CrO3(33wt%）的体积比由0.01变化到0.138，相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6；通过调节腐蚀液的选择性，在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面。当HF（48wt%）/CrO3(33wt%）的体积比为0.028时

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