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现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关损耗。对此，本文提出了一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先，基于封装结构，评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性。其次，针对小尺寸SiC MOSFET芯片，设计具有U型栅极顶针和垂直换流回路的分立式压接封装结构，并利用磁场相消原理进一步降低功率回路寄生电感。接着，利用Pspice对SiC MOSFET器件开关行为建模，对比分析分立式压接封装与TO封装下SiC MOSFET器件的开关特性。最后，搭建电感钳位双脉冲测试平台进行实验验证。仿真和实验结果表明，在相同电流等级下，采用分立式压接封装结构的SiC MOSFET器件具有更低的封装磁场分布和更低的寄生电感，可以显著提升器件开关速度并降低开关损耗。