【摘 要】
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采用静滴法、电子探针和扫描电镜研究了 Cu-Sn-M(M=Ti,Zr,V,Cr)三元合金与烧结碳化硅及单晶碳化硅间的润湿性及界面反应。在 Cu-Sn-Ti 合金与两种碳化硅垫片的铺展前沿均发现
【机 构】
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东北大学,东北大学,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 104信箱 沈阳市 110016
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采用静滴法、电子探针和扫描电镜研究了 Cu-Sn-M(M=Ti,Zr,V,Cr)三元合金与烧结碳化硅及单晶碳化硅间的润湿性及界面反应。在 Cu-Sn-Ti 合金与两种碳化硅垫片的铺展前沿均发现有前驱膜存在,同时在 Cu_(85)Sn_(10)Ti_5与烧结碳化硅的界面发现裂纹。实验结果表明:Ti 的加入显著改善 Cu-Sn 二元合金与碳化硅间的润湿性,其原因是 Ti 在界面上的吸附、富集及界面反应。
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