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利用Landauer—Buttiker散射理论和传递矩阵方法研究了单层石墨烯双势垒结构中的隧穿几率和电导。计算结果表明：即使存在克莱因隧穿效应，单层石墨烯双势垒结构中的量子隧穿仍然与势阱宽度和势垒高度密切相关。隧穿几率和电导表现出复杂的振荡行为，振荡的振幅和周期敏感地依赖于势阱宽度、势垒高度、电子的入射能量和入射角度。因此，可以通过改变系统的结构参数对单层石墨烯双势垒结构中的电子输运性质进行控制。