6H—SiC单晶的生长与缺陷

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhang760327
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采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸φ50.8 mm的6H-SiC单晶.利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征.采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如:负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论.
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