【摘 要】
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研究了P型、直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(-3)、碳浓度在0.2～1.9×10~(17)cm~(-3)范围
【机 构】
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冶金工业部有色金属研究总院,冶金工业部有色金属研究总院,冶金工业部有色金属研究总院
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研究了P型<100>、<111>直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(-3)、碳浓度在0.2～1.9×10~(17)cm~(-3)范围内,对旋涡缺陷的形成无明显影响。在偏心8mm下拉制的晶体中,虽然回熔严重,但采用适宜的冷却速度,仍能拉出无旋涡单晶。
The formation of vortex defects in P-type <100> and <111> Czochralski silicon single crystals was investigated. It is found that the cooling rate of crystal plays a decisive role in the formation of vortex defects. The concentration of oxygen in the range of 0.5 ~ 1.7 × 10 ~ (18) cm ~ (-3) and the carbon concentration in the range of 0.2 ~ 1.9 × 10 ~ (17) cm ~ (-3) did not affect the formation of vortex defects. In the case of a crystal drawn at an eccentricity of 8 mm, although the melt is severely melted, an undiluted single crystal can still be drawn with a suitable cooling rate.
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