【摘 要】
:
提出了一种采用LC并联谐振电路的新型差分有源电感,实现了宽的工作频带、高的Q值、较大的电感值和可调谐功能.采用无源电感和MOS晶体管可变电容构成LC谐振电路,减小了等效串
【机 构】
:
北京工业大学信息学部微电子学院,北京100124
论文部分内容阅读
提出了一种采用LC并联谐振电路的新型差分有源电感,实现了宽的工作频带、高的Q值、较大的电感值和可调谐功能.采用无源电感和MOS晶体管可变电容构成LC谐振电路,减小了等效串联电阻和等效并联电容,在增大电感值、Q值的同时,扩大了工作频带.仿真结果表明,在2~7.6 GHz频率范围内,该新型差分有源电感的电感值大于26 nH,Q值大于138;在7.6 GHz高频下,电感值达130 nH,Q值达418,实现了宽工作频带范围内的高Q值和高电感值.与传统差分有源电感和带LC谐振电路的单端有源电感相比,该新型差分有源电感的性能较好.
其他文献
提出了一种具有高介电常数介质填充沟槽的绝缘栅双极晶体管(IGBT).分析了高介电常数介质调制效应.结果表明,与普通场阻型IGBT相比,该器件的击穿电压提高了 8%,通态压降减小了
为了解决传统LVTSCR易发生闩锁效应的问题,提出了一种增强型嵌入P浅阱可控硅(EEP_LVTSCR)结构.通过在传统LVTSCR中NMOS管漏极与阳极之间植入PSD/NSD有源区,引入了额外的复合
分析了国产运算放大器LM124的总剂量辐射效应统计规律.基于同一批次80个样本辐照前和100 Gy、200 Gy、500 Gy、1 000 Gy、1 500 Gy五个总剂量点辐照后的实验数据进行了分析,
随着我国社会经济的快速发展,我国综合国力不断提升,建设文明繁荣的社会主义经济强国成为了我国当下的核心发展目标。政府在落实全面建设社会主义现代化强国的进程之中,不仅
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充
大数据是对电子计算机技术、网络多媒体技术、物联网技术的等诸多多媒体技术的统称,其核心内涵是能够在短时间内收集和处理规模庞大的信息资料,简单来说大数据就是高度的信息
针对优化提取参数的复杂度问题,提出了一种新的GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法.提取寄生电容时,设置合适的优化范围,进行优化提参.采用三次参数优化,确保优化精度和模
介绍了一种提升表面贴装元件粘胶加固工艺质量的方法.归纳了表征表面贴装元件粘胶加固工艺质量的关键指标,通过正交试验优化了胶体固化工艺,大幅提升了片式元件粘胶加固的工
为了解决PWMDC-DC在轻负载时转换效率骤降的问题,设计了一种分段输出级PWM DC-DC电路结构,用以优化轻负载时的转换效率.该设计引入了负载电流检测电路,对输出电流进行采样并
树脂性能对灌封材料的成型有着至关重要的作用,本文通过不同的材料配比来制备灌封所需的树脂,研究树脂固化后不同增韧剂配比、添加顺序及促进剂用量对树脂性能的影响。结果表