【摘 要】
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研究了在被膜过程中表面活性处理及掺杂对聚合物片式钽电容器容量、耐压、等效串联电阻（ESR）等特性的影响。研究结果表明表面活性处理后可以有效改善Ta2O5/PEDOT界面间的匹配,
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61101029）,中央高校基本科研业务费资助项目（ZYGX2010J057）
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研究了在被膜过程中表面活性处理及掺杂对聚合物片式钽电容器容量、耐压、等效串联电阻（ESR）等特性的影响。研究结果表明表面活性处理后可以有效改善Ta2O5/PEDOT界面间的匹配,提高电容器容量引出效率;通过添加中间阻隔层（硅烷偶联剂）可以有效地阻挡杂质氧化性离子进入介质膜Ta2O5层,降低聚合物片式钽电容器的漏电流,提高耐压特性;实验结果表明在掺杂剂溶液的浓度为3%,补形成电压为赋能电压的70%时,能有效降低电容器ESR及漏电流。
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