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低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了1 3倍.
垒层Si掺杂对AIGaInP/GaInP多量子阱性能的影响
【摘 要】
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低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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广东省广州市科技攻关项目;
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