【摘 要】
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在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对于阈电压的修正.在此基础
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学电子信息工程系
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在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对于阈电压的修正.在此基础上,对沟道方向的子带作了抛物线近似,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型.根据该模型,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系.与数值模拟结果的比较表明,该解析模型的精度令人满意,并且得出以下结论:二维量子力学效应使阈电压下降,并且在亚50 nm的MOSFET中,这个修正不可忽略.
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