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讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的有效控制了晶体的氧含量和微缺陷。
300mm硅单晶的生长技术
【摘 要】
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讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的有效控制了晶体的氧含量和微缺陷。
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年3期
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