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介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法——化学汽相沉积（CVD）法制备SiC薄膜的近年研究进展，并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展
【摘 要】
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介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法——化学汽相沉积（CVD）法制备SiC薄膜的近年研究进展，并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
【机 构】
：
河北大学电子信息工程学院,河北大学物理科学与技术学院
【出 处】
：
微纳电子技术
【发表日期】
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2006年1期
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