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为了改善功率器件导通电阻与击穿电压的折中关系，提出了半超结理论及其设计方法。在原胞部分研究了各个器件结构参数的深度和浓度的优化，在终端部分提出了一种平面结终端技术；提出了实现半超结VDMOS的工艺实现方法，并利用2-D仿真软件Medici进行仿真验证。结果表明，利用该优化方案，可以得到特征导通电阻为40mΩ·cm2的600V半超结VDMOS器件。