【摘 要】
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为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器（Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA）模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马
【机 构】
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山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系,中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
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为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器（Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA）模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应（MZI）的光判决门结构,仿真分析了注入电流、泵浦光功率和光场限制因子等对开关对比度的影响。结合QD-SOA的载流子恢复特性,在有源区注入补充电流,提高电子占有率,补充载流子消耗,为提高光判决门开关工作速度提供了有利条件。基于MZI效应光判决门分析了对比度（CR）对
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