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提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型.基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式.该模型的解析解与实验结果和数值解相吻合.并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式.文中还给出了沟道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式.该模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解