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利用金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＭＩＣ）的方法研究了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ的低温晶化，ＭＩＣ的晶化温度降低到４４０℃。采用ＸＲＤ、Ｒａｍａｎ、ＳＥＭ和ＸＰＳ等手段研究了Ｎｉ－ＭＩＣ多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究
【摘 要】
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利用金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＭＩＣ）的方法研究了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ的低温晶化，ＭＩＣ的晶化温度降低到４４０℃。采用ＸＲＤ、Ｒａｍａｎ、ＳＥＭ和ＸＰＳ等手段研究了Ｎｉ－ＭＩＣ多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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中国科学院“九五”重大资助项目! ( KY951 -A1 -50 2 ) ,,吉林省“九五”科技攻关项目! ( 970 1 0 3-0 1 ) ,,吉林省杰出青年基金
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